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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

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第1题
共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。()
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第2题
在双极型晶体管放大电路的直流通路中,()。

A.直流电压源等效为短路

B.电容开路

C.电感短路

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第3题
当输入信号接入基极、负载接到集电极时,双极型晶体管放大电路构成()组态。

A.共基极

B.共发射极

C.共集电极

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第4题
当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时,双极型晶体管的工作状态是()。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第5题
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第6题
对于双极型晶体管,共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。()
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第7题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。()
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第8题
双极型晶体管共发射极连接使用,在输出特性曲线中,随着的增加上升得越多,代表Early电压越大。()
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第9题
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()
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第10题
双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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第11题
逆变器开关元件是六个绝缘栅双极型晶体管IGBT。这些IGBT和()的续流二极管集成在一起。

A.正向串联

B.反向并联

C.正向并联

D.反向串联

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