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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中,错误的是()。

A.在较大负电压时,C为常数值Cox

B.当VG=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容

C.当VG>0时,低频时C随着VG增加,并将趋于一个定值

D.当VG>0时,高频时C随着VG减少,并将趋于一个定值

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第1题
以衬底为p型的理想MOS结构为例,当外加电压VG<0时,以下说法正确的是()。

A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关

C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小

D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小

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第2题
n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体,在工作时通常源端接___。

A.n型,电源电压

B.n型,地

C.p型,电源电压

D.p型,地

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第3题
当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第4题
关于霍耳效应,以下说法正确的是?()

A.室温时,n型半导体的霍耳系数为负

B.室温时,p型半导体的霍耳系数为正

C.n型半导体的霍耳角为负

D.p型半导体的霍耳角为正

E.室温时,n型半导体的霍耳系数为正

F.室温时,p型半导体的霍耳系数为负

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第5题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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第6题
以下关于通信网的叙述中,不正确的是()。 A.为兼顾可靠性和经济性,在通信网中经常采用复合型网

以下关于通信网的叙述中,不正确的是()。

A.为兼顾可靠性和经济性,在通信网中经常采用复合型网络拓扑 B.为减少线路投入,在通信网同级网络中常采用星型网络拓扑 C.为保证可靠性,在通信网的核心网中经常采用网状网拓扑结构 D.在通信网中经常采用树形网络拓扑结构搭建分级的网络

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第7题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第8题
直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高

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第9题
若有以下说明和定义 typedeint *INTEGER; INTEGER p, *q; 以下叙述正确的是A.p 是int 型变量B.p

若有以下说明和定义 typede int *INTEGER; INTEGER p, *q; 以下叙述正确的是

A.p 是int 型变量

B.p 是基类型为 int 的指针变量

C.q 是基类型为int 的指针变量

D.程序中可用INTEGER代替int类型名

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第10题
设单链表中结点的结构为:已知单链表中结点*q是结点*p的直接前驱,若在*q与*p之间插人结点*s,则

设单链表中结点的结构为:

已知单链表中结点*q是结点*p的直接前驱,若在*q与*p之间插人结点*s,

则应执行以下()操作。

A、s->link-p-link;p->link-s;

B、q->link=s;s->link-p:

C、p->link-s->link;s~>link=p;

D、p->link=s;s->link=q;

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第11题
以下关于“简并半导体”的描述正确的是:()。

A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

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