以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中,错误的是()。
A.在较大负电压时,C为常数值Cox
B.当VG=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容
C.当VG>0时,低频时C随着VG增加,并将趋于一个定值
D.当VG>0时,高频时C随着VG减少,并将趋于一个定值
A.在较大负电压时,C为常数值Cox
B.当VG=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容
C.当VG>0时,低频时C随着VG增加,并将趋于一个定值
D.当VG>0时,高频时C随着VG减少,并将趋于一个定值
A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关
C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小
D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小
A.室温时,n型半导体的霍耳系数为负
B.室温时,p型半导体的霍耳系数为正
C.n型半导体的霍耳角为负
D.p型半导体的霍耳角为正
E.室温时,n型半导体的霍耳系数为正
F.室温时,p型半导体的霍耳系数为负
以下关于通信网的叙述中,不正确的是()。
A.为兼顾可靠性和经济性,在通信网中经常采用复合型网络拓扑 B.为减少线路投入,在通信网同级网络中常采用星型网络拓扑 C.为保证可靠性,在通信网的核心网中经常采用网状网拓扑结构 D.在通信网中经常采用树形网络拓扑结构搭建分级的网络
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
若有以下说明和定义 typede int *INTEGER; INTEGER p, *q; 以下叙述正确的是
A.p 是int 型变量
B.p 是基类型为 int 的指针变量
C.q 是基类型为int 的指针变量
D.程序中可用INTEGER代替int类型名
设单链表中结点的结构为:
已知单链表中结点*q是结点*p的直接前驱,若在*q与*p之间插人结点*s,
则应执行以下()操作。
A、s->link-p-link;p->link-s;
B、q->link=s;s->link-p:
C、p->link-s->link;s~>link=p;
D、p->link=s;s->link=q;
A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T