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● 对于（56）应实行旁站监理。
（56）
A．工程薄弱环节
B．首道工序
C．隐蔽工程
D．上、下道工序交接环节
以下是有关光盘存储器的叙述：
Ⅰ．CD-ROM上的信息既能读出也能修改和删除
Ⅱ．光盘上用于记录信息的是一条由里向外的螺旋状路径
Ⅲ．光盘存储器盘表面有许多凹坑，所有信息都记录在凹坑中
Ⅳ．光盘驱动器的寻道时间比硬盘驱动器的寻道时间长得多
上述叙述中，哪些是正确的？
A) Ⅰ和Ⅱ
B) Ⅰ和Ⅲ
C) Ⅱ和Ⅲ
D) Ⅰ、Ⅲ和Ⅳ
A.在制品库存
B.短缺风险
C.浪费
D.各种缺陷
S及其S上的运算*如下定义,问各种定义下的*运算是否满足结合律、交律,
S,*＞中是否有幺元,零元,S中哪些元素有逆元,哪些元素没有逆元.
(1)S为I(整数集),x*y=x-y
(2)S为I(整数集),x*y=x+y-xy
(3)S为Q(有理数集),x*y=x+y/2
(4)S为N(自然数集),x*y=2xy
(5)S为N(自然数集)x*y-max(x,y)(min(x,y))
(6)S为N(自然数集),x*y=x
下面的程序各自独立，请问执行下面的四个TestMemory 函数各有什么样的结果？
①void GetMemory(char * p)
{
p = (char * )malloc(100);
}
void TestMemory (void)
{
char *str = NULL;
GetMemory (str);
strcpy(str, "hello world");
prinff(str);
}
② char * GetMemory (void)
{
char p[ ] = "hello world";
return p;
}
void TestMemory (void)
{
char * str = NULL;
str = GetMemory();
printf(str);
}
③void GetMemory(char * * p, int num)
{
* p = (char * )malloc(num);
}
void TestMemory (void)
{
char * str = NULL;
GetMemory(&str, 100);
strcpy(str, "hello" );
printf(sir);
}
④void TestMemory (void)
{
char *str = (char * )malloe(100);
strepy (str, "hello" );
free (str );
if(str ! = NULL)
{
strepy(str, "world" );
printf(str);
}
}
在磁盘存储器中，寻道时间是(8)。
A．使磁头移动到要找的柱面上的所需时间
B．使磁头移动到要找的数据上的所需时间
C．在扇区中找到要找的区所需的时间
D．在磁道上找到的区所需的时间
