题目内容
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[单选题]
为了提高DRAM的读写速度,通常采用一些特殊的技术开发多种不同类型的DRAM。下面四种DRAM中速度最快的是
A.EDO DRAM
B.FPMDRAM
C.PR100 SDRAM
D.PC133 SDRAM
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A.EDO DRAM
B.FPMDRAM
C.PR100 SDRAM
D.PC133 SDRAM
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
A.可以提高焊接速度
B.便于操作和保证背面焊道的质量
C.不容易断弧
D.便于操作和保证正面焊道的质量
A.EDODRAM,SDRAM,RDRAM
B.EDODRAM,RDRAM,SDRAM
C.SDRAM,EDODRAM,RDRAM
D.RDRAM,EDODRAM,SDRAM