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[主观题]

晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同,晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同,晶体管又分为______和______。

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第1题
金属和半导体接触的整流特性可用于?()

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

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第2题
二极管由1个PN结,1个管壳和2个电极引线构成。()
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第3题
以下哪种情况需要金属和半导体间形成欧姆接触?()

A.给半导体器件接出金属引线

B.制作肖特基势垒二极管

C.制作PN结二极管

D.制作晶体管

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第4题
对异质结I-V特性的分析,以下说法正确的是?()

A.对于低势垒尖峰形异质结,用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结,采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结,用隧道模型处理

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第5题
不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?()

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

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第6题
二极管是由一个PN结构成的,它的主要特性就是()。

A.反向特性

B.导通特性

C.截止特性

D.单向导电性

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第7题
PN结击穿的两种类型是:雪崩击穿;()

A.雪塌击穿

B.齐纳击穿

C.电压击穿

D.电流击穿

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第8题
整流二极管包括一个PN结。()
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第9题
PN结击穿后就损坏了。()
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第10题
稳压管也是一种二极管,与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的()区。

A.正向击穿

B.截止

C.放大

D.反向击穿

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第11题
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。()
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