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[判断题]

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()

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第1题
当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时,双极型晶体管的工作状态是()。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第2题
不考虑界面态时,对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是?()

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

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第3题
导致MOSFET晶体管出现非零漏电导的因素不包括()。

A.沟道长度调制效应

B.漏电场静电反馈效应

C.漏感应势垒降低

D.亚表面穿通效应

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第4题
什么是超晶格结构?()

A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构

B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构

C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构

D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构

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第5题
当输入信号接入基极、负载接到集电极时,双极型晶体管放大电路构成()组态。

A.共基极

B.共发射极

C.共集电极

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第6题
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第7题
逆变器开关元件是六个绝缘栅双极型晶体管IGBT。这些IGBT和()的续流二极管集成在一起。

A.正向串联

B.反向并联

C.正向并联

D.反向串联

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第8题
PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。()
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第9题
门极关断晶闸管()GTO)是()器件,要是GTO关断,必须在门极上施加一个反向的大脉冲电流及反向电压。

A.电压控制型

B.电流控制型

C.电压注入型

D.电流注入型

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第10题
双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。()
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