A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构