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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将（)。

A.变窄

B.变宽

C.基本不变

D.不确定

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第1题

PN结具有单向导电性，加正向电压时，电流大，电阻小，呈（)状态;加反向电压时，电流小，呈截止状态。

A.导通

B.截止

C.关断

D.开路

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第2题

当在PN结上加正向电压，PN结（)。

A.呈现低电阻，处于截止状态

B.呈现高电阻，处于导通状态

C.呈现高电阻，处于截止状态

D.呈现低电阻，处于导通状态

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第3题

PN结空间电荷区中心处电势为最大。（)

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第4题

在pn结空间电荷区中，n区留下（)。

A.带正电荷的施主离子

B.带负电荷的施主离子

C.带正电荷的受主离子

D.带负电荷的受主离子

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第5题

稳压管也是一种二极管，与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的（)区。

A.正向击穿

B.截止

C.放大

D.反向击穿

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第6题

以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。

A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大

B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小

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第7题

对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)

A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

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第8题

pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（)。

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

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第9题

PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。（)

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第10题

空间电荷区形成之后，正负电荷的互相作用，在空间电荷区中产生了一个（)。

A.电场

B.电位

C.电压

D.电流

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第11题

当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

A.大于，正偏

B.小于，反偏

C.等于，零偏压

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