A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
本题通过两个箱中粒子模型的应用实例进行运算:
(1)将KCl晶体放置在金属钾蒸气中加热,K原子受辐射而电离,K→K++e-。K+扩散进入晶体,使晶体的K+离子数目多于Cl-离子数目,晶体的组成变为,为了保持化合物的电中性,电子e-进入负离子的空位代替Cl-,形成,晶体显紫红色,这种晶体缺陷结构称色中心。已知Cl-离子半径为181pm,将电子e-看作处于立方体对角线(长为1.73×362pm)作一维势箱运动。试分别求该电子由HOMO→LUMO激发所需的能量以及由LUMO→HOMO所故出光的波长。
(2)金属钾的摩尔体积室温时为45.36cm3mol-1,试计算它的Fermi能级(EF),分别以J和eV表示,并和实验测定值2.14eV比较。
A.在氧化还原反应中,失去电子的物质叫还原剂,自身被氧化
B.反应前后各元素的原子总数必须相等
C.在氧化还原反应中,氧化剂和还原剂可以不同时存在
D.当一种元素有多种化合态时,具有中间氧化数的化合物既可作氧化剂也可做还原剂
Cu原子形成+1价离子时失去的是4s电子还是3d电子?试用斯莱
特规则的计算结果加以说明。
A、原子中一个电子的运动状态需要用四个量子数描述
B、电子在简并轨道上排布时尽可能分占不同的轨道,且自旋方向相同
C、在同一原子中,不可能有两个电子具有相同的四个量子数
D、在s能级中均有两个自旋方向相反的电子存在
A.熔融B通过一定工艺直接拉丝形成
B.熔融B通过一定工艺直接挤压形成
C.通过在B芯材上沉积原子硼形成的一种无机复合纤维
D.通过在芯材(W、
E.石英纤维等)上沉积不定型的原子硼形成的一种无机复合纤维
A.2,1,1,-1/2
B.3,1,1,-1/2
C.3,2,1,-1/2
D.4,0,0,+1/2