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[单选题]

NMOS管的栅源电压小于开启电压时,NMOS处于()。

A.可变电阻区

B.截止区

C.截止区

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第1题
当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第2题
增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时,使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时,使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第3题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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第4题
电路如图题5.2.1所示,设Rg1=90kΩ,Rg2=60kΩ,Rd=30kΩ,VDD=5V,VT=1V,Kn=
0.1mA/V2。试计算电路的栅源电压VCS和漏源电压VDS

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第5题
场效应管是利用栅源之间的电压变化来控制(),双相型三极管则利用基极电流来控制()。
场效应管是利用栅源之间的电压变化来控制(),双相型三极管则利用基极电流来控制()。

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第6题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第7题
两单管放大电路,Au1=30,ril=10kΩ,rol=2kΩ,Au2=100,ri2=2kΩ,ro2=2k
Ω,现将它们通过电容耦合。

(1)分别计算A1作为前级和A2作为前级时两级放大电路的电压放大倍数:

(2)设信号源的内阻为10kΩ,计算上述两种放大电路的源电压放大倍数

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第8题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第9题
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导

表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?

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第10题
常见的数字式传感器有光栅、磁栅、感应同步器、光电编码器,主要用于几何位置、()等的测量。

A.电压

B.电流

C.速度

D.电阻

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第11题
一个理想电压源,当u与e参考方向相反时,有u=e。()
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