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相比双极型晶体管,场效应管的输入电阻()。

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第1题
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第2题
绝缘栅双极型晶体管属于电流控制元件。()
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第3题
共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。()
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第4题
在双极型晶体管放大电路的直流通路中,()。

A.直流电压源等效为短路

B.电容开路

C.电感短路

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第5题
双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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第6题
双极型晶体管共发射极连接使用,在输出特性曲线中,随着的增加上升得越多,代表Early电压越大。()
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第7题
当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时,双极型晶体管的工作状态是()。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第8题
对于双极型晶体管,共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。()
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第9题
当输入信号接入基极、负载接到集电极时,双极型晶体管放大电路构成()组态。

A.共基极

B.共发射极

C.共集电极

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第10题
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()
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第11题
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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