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[单选题]
直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
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sin(2π×106)(V)，直流偏置电压VBBO=0.6V，本振电压vL(t)=0.1sin(2π×3×106t)(V)，电源电压Vcc=12V，晶体管T选用Q2N2222。(1)选择L和C值，使输出振荡回路谐振在1MHz上，回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压v0的峰-峰值。(3)进行频谱分析，分别记录1MHz,2MHz,3MHz频率的谱线值。
电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
1增大时,uo1的占空比将()振荡频率将(),uo2的幅值将();若Rw1的滑动端向上移动,则uo1的占空比将(),振荡频率将(),uo2的幅值将();若Rw2的滑动端向上移动,则uo1的占空比将(),振荡频率将(),uo2的幅值将().
A.频率按钮
B.波形按钮
C.偏移(偏置)按钮
D.Channel(通道)按钮
