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题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

A.将新加芯片的地址线,数据线和读/写控制线与原有芯片相应线并接,片选线由地址总线高位控制

B.将新加芯片的地址线,读/写控制线和片选线与原有芯片相应线并接,数据线接数据总线高位线

C.将新加芯片的数据线,读/写控制线和片选线与原有芯片相应线并接,地址线接地址总线高位线

D.将新加芯片的地址线,数据线和片选线与原有芯片相应线并接,读/写控制线接控制总线的有关位线

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第1题
ROM中没有()。

A.地址线

B.数据线

C.读使能线

D.写使能线

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第2题
试题二(共15分)阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。【说明】在某嵌入

试题二(共15分)

阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。

【说明】

在某嵌入式系统设计中,使用8片RAM进行64KRAM的外部存储器扩展,如图2-1所示。该CPU共有16根地址线,8根数据线,在设计中,利用CPU的试题二(共15分)阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。【说明】在某嵌入作为访问控制信号,该访问控制信号低电平有效。另外,试题二(共15分)阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。【说明】在某嵌入作为读写命令信号(高电平为读,低电平为写)。8片8Kx8位的RAM芯片与CPU相连,RAM芯片的片选内部为上拉电阻到电源,各个RAM芯片的片选信号和74138译码器的输出相连,译码器的地址选择端连接到CPU的A13,A14,A15地址线上。

试题二(共15分)阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。【说明】在某嵌入

【问题1】(8分)

根据上图所示,写出RAM0,RAM1和RAM7的地址范围(请用16进制进行表示)。

RAM0: (1)

RAM1: (2)

RAM7: (3)

若CPU操作的地址总线为A800H,结合图2-1所示的示意图,CPU访问的是哪个RAM存储器(4)。

【问题2】(4分)

如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后,以C000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据,假设芯片与译码器可靠工作,则说明:

(1) RAM0~RAM7中(1) 的片选输入端总是处于低电平。

(2)如果有问题的存储芯片的片选输入端总是处于低电平,以下可能原因中描述不正确的是(2) 。

A.该存储芯片的CS端与存储芯片的试题二(共15分)阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。【说明】在某嵌入端错连或短路

B.该存储芯片的CS端与CPU的试题二(共15分)阅读下列说明和图,回答问题1至问题3,将解答填入答题纸的对应栏内。【说明】在某嵌入端错连或短路

C.该存储芯片的CS端与地线错连或短路

D.该存储芯片的CS端悬空

【问题3】(3分)

根据连接图,若出现地址线A15与CPU断线,并搭接到高电平上,下面描述中正确的是()。(该题为多选题)

A.此时存储器只能寻址A15=1的地址空间

B.此时存储器只能寻址总共64K字节空间的高32K字节地址空间

C.此时访问64K字节空间的高32K字节地址空间时会错误地访问到低32K字节地址空间

D.此时访问64K字节空间的低32K字节地址空间时会错误地访问到高32K字节地址空间

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第3题
设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WR作读写控制信号(高
设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ作访存控制信号(低电平有效),用WR作读写控制信号(高

电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:1K×4位RAM,4K×8位RAM,2K×8位ROM,以及74138译码器和各种门电路,如图所示。画出CPU与存储器连接图,要求:1.主存地址空间分配:8000H~87FFH为系统程序区;8800H~8BFFH为用户程序区。

2.合理选用上述存储芯片,说明各选几片?

3.详细画出存储芯片的片选逻辑。

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第4题
某RAM芯片,其容量为512×8位,该芯片的地址线数目为(1);数据线数目为(2)。供选择的答案:(1)A. 512

某RAM芯片,其容量为512×8位,该芯片的地址线数目为(1);数据线数目为(2)。

供选择的答案:

(1)A. 512

B. 10

C. 9

D. 18

(2)A. 3

B. 8

C. 9

D. 18

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第5题
一个512K×8的SRAM芯片,其地址线和数据线总和为()。

A.16

B.17

C.27

D.30

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第6题
某存储器芯片的存储容量为8K×8位,则它的地址线和数据线引脚相加的和为()。

A.21

B.20

C.18

D.16

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第7题
●若SRAM芯片的存储容量为 64K X16位,则其地址线与数据线数目应为 (9)。使得访问其指定存储单元时,

●若SRAM芯片的存储容量为 64K X16位,则其地址线与数据线数目应为 (9)。使得访问其指定存储单元时,能将地址信号和数据信号一次性地并行传输。

(9)

A.16 和16

B.64 和16

C.16和 64

D.6和8

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第8题
●若SRAM芯片的存储容量为64K X16位,则其地址线与数据线数目应为 (9) ,使得访问其指定存储单元时,

●若SRAM芯片的存储容量为64K X16位,则其地址线与数据线数目应为 (9) ,使得访问其指定存储单元时,能将地址信号和数据信号一次性地并行传输。

(9)

A.16和16

B.64和16

C.16和64

D.6和8

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第9题
μPD424256的容量为256K×4bit,即芯片内部有256K个存储单元,每个存储单元可存储4位信息。下面关于μP
D424256的叙述中,正确的是()。

A.芯片内部有256K个存储单元,因此芯片有18个地址引脚

B.芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新

C.芯片的数据线有4根,但为减少芯片的引脚数,它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的

D.DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外,有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息,有些存储8位信息

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第10题
●若SRAM芯片的存储容量为64K X16位,则其地址线与数据线数目应为(13),使得访问其指定存储单元时,能将地址信号和数据信号一次性地并行传输。(13)

A.16和16

B.64和16

C.16和64

D.6和8

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