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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

关于场效应管和双极型晶体管的比较,正确的是()。①场效应晶体管是单极性,只有一种极性的载流子参与导电②场效应晶体管是电压控制元件.双极型晶体管是电流控制元件,两者都可获得较大的电压放大倍数③场效应晶体管温度稳定性好,双极型晶体管受温度影响大④场效应晶体管存放时,各电极要短接在一起,以防外界静电感应过高电压击穿绝缘层而损坏。

A.①②③

B.①②④

C.③④

D.①②③④

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第1题
相比双极型晶体管,场效应管的输入电阻()。
相比双极型晶体管,场效应管的输入电阻()。

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第2题
全控型器件有()等器件。
全控型器件有()等器件。

A . 可关断晶闸管

B . 电力晶闸管

C . 功率场效应管

D . 绝缘栅双极型晶体管

E . 大功率整流二极管

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第3题
双极型晶体管是()控制器件,其工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。场效应管是()控制器件。
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第4题
场效应管是由多数载流子参与导电,即称单极型晶体管,属于电流控制型半导体器件,其有栅极、漏极和源极三个极。()
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第5题
共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路()。

A.共射极

B.共集电极

C.共基极

D.共栅极

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第6题
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第7题
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求:驱动放大、电气()、保护IGBT。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求:驱动放大、电气()、保护IGBT。

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第8题
采用场效应管FET的混频器比采用双极型管的混频器,产生的组合频率更()。
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第9题
双极型半导体器件是()。

A.二极管

B.稳压管

C.场效应管

D.三级管

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第10题
绝缘栅双极型晶体管()是以()作为基极,以()作为发射极与集电极复合而成。

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第11题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是()

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT

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