A.0.00164V,0.041%
B.0.00146V,0.041%
C.0.00164V,0.082%
D.0.00146V,0.082%
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C.集力敏与力电转换检测于一体
D.根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小
流的平均值I0,每个整流元件的平均电流I0和所承受的反向峰值电压UDRM;(2)若二极管D,电极引线与电路连接处焊接不良,造成接触电阻R1=100Ω,则整流电流i。的波形将如何?并计算平均值I0
某单相桥式全控整流电路,电源电压U2=220V,负载电阻R=2Ω,负载电感极大,触发角α=30°,求: (1)画出ud、id、i2的波形; (2)求整流输出平均电压Ud、电流Id、变压器二次侧电流有效值I2; (3)确定晶闸管的额定电压、额定电流(考略二倍裕量)。