CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?
ce
忽略不计,试求输入电阻R1、输出电阻R0、电流增益Af和源电压增益Aυ.表达式.
共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH。
共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略不计.
Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF。
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
(1)求解电压放大倍数的表达式;(2)当有共模输入电压时,u0=?简述理由.
时,流过每一电阻的最大电流为100μA,求R1和R2的最小值;(2)设计一反相放大电路,如图题2.3.4b(主教材图2.3.6a)所示,使其电压增益Ae=vo/vi=-8,当输入电压vi=-1V时,流过R1和R2的最大电流为20μA,求R1和R2的最小值。