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更多“若给PN结两端加反向电压时，空间电荷区将（）。”相关的问题
第11题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG<0时，以下说法正确的是（)。
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
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D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
