在图LP4-50所示的电流源电路中,已知ΥCC=30Υ,R=30kΩ,T=300K, 试确定R2,并
求输出交流电阻R0.(补充条件:β=100,|VA|=100VC)
温下ICQ、VCEQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下VCEQ值,并分析其工作模式.
图LT5-7所示为电流并联负反馈电路,已知RF1=750Ω,RF2=1.2kΩ,RS=1kΩ,R02=4kΩ,RL=1kΩ,Rf=10kΩ,设各电容对交流呈短路,RB1、RB2忽略不计,试在深度负反馈条件下,求
图LP2-18所示为二级放大电路,已知β=100,(1)试求集电极电流IC1、IC2,集电极电压VC1、VC2;
(2)若RB2改为3kΩ,试指出T1和T2管的工作模式;
(3)若RC2改为5.1kΩ,试求β2(sat)值,并与放大模式下β=100比较.
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
图LP4-66(a)所示差分放大器,已知等效电阻REE=300kΩ,等效电容CEE=2pF,电路参数管子参数
(1)试求单端输出时的高频差模源电压增益并画出相应的渐近幅频波特图;(2)若忽略管子的极间电容,仅有CEE,试求单端输出时的高频共模源电压增益函数表示式.
在图LP4-35所示电路中,RL→∞,若RC1=5.1kΩ,RC2=RC1+ΔRC,其中ΔRC=0.05RC1试求双端输出时的共模抑制比KCMR.
在图LP4-8所示的多级直接耦合放大器中,第二级为电平位移电路.已知各管的β=100,可忽略不计.各管的(1)为使试确定RF2值;(2)若RF2=0,电路能否正常工作?