若把能量 0.50x106 eV给予电子,且电子垂直于磁场运动,则其运动径迹是半径为2.0 cm的圆.问:(1)该磁场的磁感强度B有多大?(2)这电子的动质量为静质量的多少倍?
本题通过两个箱中粒子模型的应用实例进行运算:
(1)将KCl晶体放置在金属钾蒸气中加热,K原子受辐射而电离,K→K++e-。K+扩散进入晶体,使晶体的K+离子数目多于Cl-离子数目,晶体的组成变为,为了保持化合物的电中性,电子e-进入负离子的空位代替Cl-,形成,晶体显紫红色,这种晶体缺陷结构称色中心。已知Cl-离子半径为181pm,将电子e-看作处于立方体对角线(长为1.73×362pm)作一维势箱运动。试分别求该电子由HOMO→LUMO激发所需的能量以及由LUMO→HOMO所故出光的波长。
(2)金属钾的摩尔体积室温时为45.36cm3mol-1,试计算它的Fermi能级(EF),分别以J和eV表示,并和实验测定值2.14eV比较。
A.电源加在电路两端驱动电子流动的力量大小
B. 电源把其它形式的能量转化为电能的能力
C. 单位时间内流过电路的电荷数量
D. 电源所能供出的最大的电荷数量
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用,而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响,而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用,△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
A.评估患者每日出入量,监测每日能量和蛋白质平衡状况
B.若患者入院时肝功能无损害则不需要监测患者血脂、肝功能等变化
C.严密监测体温,评估体温升高是否与静脉营养导管留置有关
D.使用专用静脉通道输注营养液,避免与给药等通道混用
E.观察患者有无高血糖或低血糖表现,将患者血糖控制在合适范围内