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[判断题]

总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（)

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更多“总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电…”相关的问题

第1题

直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（)。

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高

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第2题

动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。

A.刷新

B.存储

C.充电

D.放电

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第3题

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)

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第4题

两电容串联后总的等效容量为两者之和。（)

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第5题

采用“人体电容法”进行管道防腐层漏点检测时，如“增益”调至6，表头读数为80~90μA，表示已到发射机射程的60%，可以继续向前测试。（)

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第6题

电解法露点分析仪利用五氧化二磷等材料吸湿后分解成极性分子，从而在电极上（)的特性，设计出建立在绝对含湿量单位制上的电解法微水份仪。

A.积累电荷

B.形成电势

C.构成电容

D.移动

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第7题

两个100Pf的电容串联，其总电容是50Pf。（)

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第8题

电容和电感在电路中对交流电引起的阻碍作用总称为电抗。（)

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第9题

附图中所标电容值的单位是微法，求A、B间的总电荷。

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第10题

在电阻电容串联电路中，总电压是各分电压的向相量和，而不是代数和。（)

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第11题

在题3.9图所示的电路中，已知R₁=R₂=10Ω，L=31.8mH，C=318μF，f=50Hz，U=10V，求各支路电流、

总电流及电容电压。

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