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[判断题]

掺硼的晶棒掺杂字母为G（）

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否

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第1题

掺有微量硼的单晶硅棒（硅含量99．999%)，直径5厘米，用于制造半导体元器件

掺有微量硼的单晶硅棒(硅含量99．999%)，直径5厘米，用于制造半导体元器件

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第2题

在晶体中掺人微量的三价硼元素，因为缺少电子产生空穴，这些空穴充当导电的载流子，掺人硼元素杂质的半导体叫做P型半导体（）

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第3题

当硅中掺有硼杂质时拉出的单晶为（）。

A、 P型

B、 N型

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第4题

编号为J-2015-T02-01-B-01的晶棒一切为二后，两根棒的编号分别为J-2015-T02-01-B-01-01和J-2015-T02-01-B-01-02。（)

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第5题

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温（300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为N_a1=10¹⁶/cm³，硼的电离能为E_a1-E_v=0.045eV，铟的电离能为E_a2-E_v=0.16eV，试求样品中铟的浓度N_a2[室温下为N_v=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/(V·s)]。

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第6题

离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。（）

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第7题

一般在掺硼的单晶生产中，拉出单晶的型号为（）。

A、P型

B、N型

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第8题

机台加工出的晶棒无需擦拭便可直接流转（）

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第9题

食品掺伪的主要形式不包括（)

A.掺假

B.掺杂

C.伪造

D.复合

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第10题

掺铒光纤放大器（）利用光纤中掺杂的（）元素引起的增益机制实现光放大。

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第11题

放置晶棒时，必须将晶线避开切割线，使晶线在切割线两侧，防止崩边时造成产品损失（）

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