电路如下图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源
电路如下图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
电路如下图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
电路及参数如下图所示。试回答下列问题:
(1)D1D4的作用是,电容C1的作用是;
(2)T管的作用是,集成运放A的作用是;
(3)稳压管DZ提供,电阻R 1、R2和RP构成;
(4)设输入交流电压有效值V2=20V,R1=1k,R2=Rp=2k,电位器的中心抽头在中间位置,稳压管的稳定电压为VZ=6V,试计算A、C和E点的电位。
三极管串联型稳压电路如下图所示。已知R1=1kΩ,R2=2kΩ,RP=1kΩ,RL=100Ω,UZ=6V,UI=15V,试求输出电压的调节范围以及输出电压为最小时调整管所承受的功耗。
●关系R1和R2如下图所示:
(51)A. 4
B.5
C.6
D.7
(52)A.4
B.5
C.6
D.7
● 关系R1和R2如下图所示:
若进行运算,则结果集为(51)元关系,共有(52)个元组。 (51)A.4 B.5 C.6 D.7 (52)A.4 B.5 C.6 D.7
在图示电路中,R1=240欧姆,R2=3K欧姆;W117输入端和输出端允许范围为3~40V,输出端和调整端之间的电压UR为1.25V,试求解:
有一只螺管形差动电感传感器如下图(a)所示。传感器线圈为铜导线,电阻R1=R2=40Ω。铁心在中间位置时,传感器线圈的电感L1=L2=30mH。现用两只匹配电阻设计成四臂等阻抗电桥,如图(b)所示。试问:
●假设关系R1和R2如下图所示:
若进行运算,则结果集分别为(16)元关系,共有(17)个元组。
(16) A.4
B. 5
C. 6
D. 7
(17)A. 4
B. 5
C. 6
D. 7