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[主观题]
掺有微量硼的单晶硅棒（硅含量99．999%)，直径5厘米，用于制造半导体元器件
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在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3，硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV，试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/(V·s)]。
